IPD046N08N5ATMA1 vs IPB031N08N5ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD046N08N5ATMA1 מאת Infineon ו IPB031N08N5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPD046N08N5ATMA1 | IPB031N08N5ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Series | OptiMOS™ 5 80V | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 4.6 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 125 W | — |
| טווח טמפרטורת צומת פעולה | -55 °C to +175 °C | — |
| מארז / Case | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ 5 trench MOSFET | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| סטטוס RoHS | ROHS3 Compliant | Compliant |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Configuration | Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) | — |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 120 A (Tc) |
| Power Dissipation (PD) Max | — | 167 W (Tc) |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | — | 3.1 mOhm (VGS=10V) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55 C to +175 C |
| מארז | — | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| מספר פינים | — | 3 (Gate, Drain, Source + Tab) |
| Tab Connection | — | Drain (electrically connected to pin) |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Arrow listing) |