IPD046N08N5ATMA1 vs IPB031N08N5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD046N08N5ATMA1 tarafından Infineon ve IPB031N08N5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD046N08N5ATMA1 | IPB031N08N5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Series | OptiMOS™ 5 80V | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 4.6 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 125 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +175 °C | — |
| Paket / Kas | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ 5 trench MOSFET | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| RoHS Durumu | ROHS3 Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Configuration | Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) | — |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 120 A (Tc) |
| Power Dissipation (PD) Max | — | 167 W (Tc) |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | — | 3.1 mOhm (VGS=10V) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 C to +175 C |
| Paket | — | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Pin Sayısı | — | 3 (Gate, Drain, Source + Tab) |
| Tab Connection | — | Drain (electrically connected to pin) |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Arrow listing) |