IPD80R280P7ATMA1 vs IRF1310NSTRLPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPD80R280P7ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IRF1310NSTRLPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPD80R280P7ATMA1 | IRF1310NSTRLPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolMOS P7 | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | Superjunction (CoolMOS P7) | IR MOSFET (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 800 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 17 A | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 280 mOhm | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 101 W | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] | — |
| প্যাকেজ | PG-TO252-3 (DPAK) | D2PAK (TO-263AB) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | -55C to +150C | — |
| ESD Protection | Integrated (per datasheet) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 42 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 36 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 73.3 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 160 W |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 3.8 W |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55C to +175C |
| Built-in Diode | — | Yes (intrinsic body diode) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix) |
| Configuration | — | Single with built-in diode |