IPD80R280P7ATMA1 vs IRF1310NSTRLPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD80R280P7ATMA1 tarafından Infineon ve IRF1310NSTRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD80R280P7ATMA1 | IRF1310NSTRLPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolMOS P7 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | Superjunction (CoolMOS P7) | IR MOSFET (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 800 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 17 A | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 280 mOhm | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 101 W | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] | — |
| Paket | PG-TO252-3 (DPAK) | D2PAK (TO-263AB) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55C to +150C | — |
| ESD Protection | Integrated (per datasheet) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 42 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 36 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 73.3 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 160 W |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 3.8 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +175C |
| Built-in Diode | — | Yes (intrinsic body diode) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix) |
| Configuration | — | Single with built-in diode |