IPP60R180P7XKSA1 vs IPW60R041C6FKSA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPP60R180P7XKSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPW60R041C6FKSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPP60R180P7XKSA1 IPP60R180P7XKSA1 - 600V 18A 180mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPP60R180P7XKSA1 - 600V 18A 180mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPP60R180P7XKSA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPP60R180P7XKSA1 IPW60R041C6FKSA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় NRND
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel) CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 18 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 180 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
Power Dissipation PD at TC=25°C 72 W —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 °C to +150 °C -55°C to +150°C
প্যাকেজ PG-TO220-3 (through-hole) PG-TO247-3-1 (TO-247-3)
মাউন্টিং টাইপ Through Hole Through Hole
পিনের সংখ্যা 3 (Gate, Drain, Source) —
Avalanche Energy Rated Yes —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSL লেভেল N/A (through-hole) Not Applicable (Through-hole)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 77.5 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 481 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 41 mΩ at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V to 3.5 V typical
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr value]
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf value]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট