IPP60R180P7XKSA1 vs IPW60R041C6FKSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPP60R180P7XKSA1 بذریعہ Infineon اور IPW60R041C6FKSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPP60R180P7XKSA1 IPW60R041C6FKSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال NRND
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel) CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 18 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 180 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
Power Dissipation PD at TC=25°C 72 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C -55°C to +150°C
پیکیج PG-TO220-3 (through-hole) PG-TO247-3-1 (TO-247-3)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
پنز کی تعداد 3 (Gate, Drain, Source) —
Avalanche Energy Rated Yes —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSL لیول N/A (through-hole) Not Applicable (Through-hole)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 77.5 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 481 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 41 mΩ at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V to 3.5 V typical
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr value]
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf value]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں