IPP60R180P7XKSA1 vs IPW60R041C6FKSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPP60R180P7XKSA1 tarafından Infineon ve IPW60R041C6FKSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPP60R180P7XKSA1 IPW60R041C6FKSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif NRND
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel) CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 18 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 180 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
Power Dissipation PD at TC=25°C 72 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C -55°C to +150°C
Paket PG-TO220-3 (through-hole) PG-TO247-3-1 (TO-247-3)
Montaj Türü Through Hole Through Hole
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) —
Avalanche Energy Rated Yes —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSL Seviyesi N/A (through-hole) Not Applicable (Through-hole)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 77.5 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 481 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 41 mΩ at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V to 3.5 V typical
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr value]
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf value]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin