IPP60R190P6XKSA1 vs STP20N60M2 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPP60R190P6XKSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও STP20N60M2 নির্দিষ্ট STMicroelectronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
STMicroelectronics
STP20N60M2 - 600V 20A N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics
STP20N60M2 Obsoleteবিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPP60R190P6XKSA1 | STP20N60M2 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | STMicroelectronics |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | Obsolete |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolMOS P6 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) MOSFET | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 20.2 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at 25C | 190 mOhm | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C | 151 W | — |
| প্যাকেজ | PG-TO220-3 (through-hole) | TO-220 |
| মাউন্টিং টাইপ | Through Hole | Through Hole |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +150C (junction) | -55°C to +150°C |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL লেভেল | Not applicable (through-hole) | — |
| Product Variant | XKSA1 (industrial grade, tube pack) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 25°C | — | 20 A |
| Continuous Drain Current (ID) at 100°C | — | 12 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 80 A |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 0.19 ohm typical, 0.23 ohm max |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±25 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V to 4 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 45 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 1900 pF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 120 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 5 pF |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 400 mJ |
| Thermal Resistance (Junction-to-Case) | — | 1.67 °C/W |
| থার্মাল রেজিস্ট্যান্স, জাংশন-টু-অ্যাম্বিয়েন্ট | — | 62.5 °C/W |