IPP60R190P6XKSA1 vs STP20N60M2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPP60R190P6XKSA1 द्वारा Infineon और STP20N60M2 द्वारा STMicroelectronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
STMicroelectronics
STP20N60M2 - 600V 20A N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics
STP20N60M2 Obsoleteविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPP60R190P6XKSA1 | STP20N60M2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | STMicroelectronics |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | Obsolete |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolMOS P6 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) MOSFET | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 20.2 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at 25C | 190 mOhm | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C | 151 W | — |
| पैकेज | PG-TO220-3 (through-hole) | TO-220 |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Through Hole |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (junction) | -55°C to +150°C |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL स्तर | Not applicable (through-hole) | — |
| Product Variant | XKSA1 (industrial grade, tube pack) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 25°C | — | 20 A |
| Continuous Drain Current (ID) at 100°C | — | 12 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 80 A |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 0.19 ohm typical, 0.23 ohm max |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±25 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V to 4 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 45 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 1900 pF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 120 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 5 pF |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 400 mJ |
| Thermal Resistance (Junction-to-Case) | — | 1.67 °C/W |
| थर्मल रेज़िस्टेंस, जंक्शन-टू-एम्बिएंट | — | 62.5 °C/W |