IPP60R190P6XKSA1 vs STP20N60M2 So sánh

So sánh chi tiết song song của IPP60R190P6XKSA1 bằng Infineon và STP20N60M2 bằng STMicroelectronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1 - 600V CoolMOS P6 N-Channel MOSFET | Infineon

IPP60R190P6XKSA1 - 600V CoolMOS P6 N-Channel MOSFET | Infineon

IPP60R190P6XKSA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPP60R190P6XKSA1 STP20N60M2
Thương hiệu Infineon STMicroelectronics
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Obsolete
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS P6 —
Technology Superjunction (SJ) MOSFET —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 20.2 A —
On-Resistance RDS(on) max at 25C 190 mOhm —
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C 151 W —
Hộp PG-TO220-3 (through-hole) TO-220
Kiểu lắp đặt Through Hole Through Hole
Gate Drive Voltage (typical) 10 V —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +150C (junction) -55°C to +150°C
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Cấp MSL Not applicable (through-hole) —
Product Variant XKSA1 (industrial grade, tube pack) —
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 20 A
Continuous Drain Current (ID) at 100°C — 12 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 80 A
On-Resistance (RDS(on)) — 0.19 ohm typical, 0.23 ohm max
Gate-Source Voltage (VGS) — ±25 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V to 4 V
Total Gate Charge (Qg) — 45 nC
Input Capacitance (Ciss) — 1900 pF
Output Capacitance (Coss) — 120 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 5 pF
Avalanche Energy (EAS) — 400 mJ
Thermal Resistance (Junction-to-Case) — 1.67 °C/W
Kháng nhiệt, mối nối đến môi trường — 62.5 °C/W

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá