IPW60R190C6FKSA1 vs IPW60R037P7XKSA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPW60R190C6FKSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPW60R037P7XKSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPW60R190C6FKSA1 IPW60R190C6FKSA1 - 600V CoolMOS C6 MOSFET 190mΩ TO-247 | Infineon

IPW60R190C6FKSA1 - 600V CoolMOS C6 MOSFET 190mΩ TO-247 | Infineon

IPW60R190C6FKSA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPW60R190C6FKSA1 IPW60R037P7XKSA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Technology CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel) CoolMOS Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 20.2 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance (RDS(on), max @ VGS=10V) 190 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Total Gate Charge (Qg, typ @ VDS=480V) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 151 W —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55 °C to +150 °C -55 °C to +150 °C
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) 0.83 K/W —
প্যাকেজ TO-247-3 (PG-TO247-3-1) PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole)
মাউন্টিং টাইপ Through-Hole Through Hole
পিন সংখ্যা 3 (+ tab) —
MSL লেভেল N/A (through-hole) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS™ P7
ট্রানজিস্টর টাইপ — N-Channel MOSFET (Superjunction)
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) — 76 A
On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) — 37 mΩ
Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) — 255 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) — 3.5 V
Orderable Part Number Suffix — XKSA1 (tube packaging, industrial)
Avalanche Rated — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট