IPW60R190C6FKSA1 vs IPW60R037P7XKSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPW60R190C6FKSA1 द्वारा Infineon और IPW60R037P7XKSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPW60R190C6FKSA1 - 600V CoolMOS C6 MOSFET 190mΩ TO-247 | Infineon
IPW60R190C6FKSA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPW60R190C6FKSA1 | IPW60R037P7XKSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Technology | CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel) | CoolMOS Superjunction (SJ) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 20.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance (RDS(on), max @ VGS=10V) | 190 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| Total Gate Charge (Qg, typ @ VDS=480V) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 151 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 °C to +150 °C | -55 °C to +150 °C |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) | 0.83 K/W | — |
| पैकेज | TO-247-3 (PG-TO247-3-1) | PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole) |
| माउंटिंग प्रकार | Through-Hole | Through Hole |
| पिन काउंट | 3 (+ tab) | — |
| MSL स्तर | N/A (through-hole) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | CoolMOS™ P7 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET (Superjunction) |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) | — | 76 A |
| On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) | — | 37 mΩ |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) | — | 255 W |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) | — | 3.5 V |
| Orderable Part Number Suffix | — | XKSA1 (tube packaging, industrial) |
| Avalanche Rated | — | Yes |