IPW60R190C6FKSA1 vs IPW60R037P7XKSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPW60R190C6FKSA1 بذریعہ Infineon اور IPW60R037P7XKSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPW60R190C6FKSA1 IPW60R037P7XKSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel) CoolMOS Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 20.2 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance (RDS(on), max @ VGS=10V) 190 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Total Gate Charge (Qg, typ @ VDS=480V) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 151 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +150 °C -55 °C to +150 °C
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) 0.83 K/W —
پیکیج TO-247-3 (PG-TO247-3-1) PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through-Hole Through Hole
پن کی تعداد 3 (+ tab) —
MSL لیول N/A (through-hole) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS™ P7
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET (Superjunction)
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) — 76 A
On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) — 37 mΩ
Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) — 255 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) — 3.5 V
Orderable Part Number Suffix — XKSA1 (tube packaging, industrial)
Avalanche Rated — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں