IPW60R190C6FKSA1 vs IPW60R037P7XKSA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPW60R190C6FKSA1 מאת Infineon ו IPW60R037P7XKSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPW60R190C6FKSA1 IPW60R037P7XKSA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Technology CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel) CoolMOS Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 20.2 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance (RDS(on), max @ VGS=10V) 190 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Total Gate Charge (Qg, typ @ VDS=480V) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 151 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55 °C to +150 °C -55 °C to +150 °C
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) 0.83 K/W —
מארז TO-247-3 (PG-TO247-3-1) PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole)
סוג הרכבה Through-Hole Through Hole
מספר פינים 3 (+ tab) —
רמת MSL N/A (through-hole) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS™ P7
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET (Superjunction)
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) — 76 A
On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) — 37 mΩ
Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) — 255 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) — 3.5 V
Orderable Part Number Suffix — XKSA1 (tube packaging, industrial)
Avalanche Rated — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר