IPW60R190C6FKSA1 vs IPW60R037P7XKSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPW60R190C6FKSA1 tarafından Infineon ve IPW60R037P7XKSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPW60R190C6FKSA1 IPW60R037P7XKSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel) CoolMOS Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 20.2 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance (RDS(on), max @ VGS=10V) 190 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Total Gate Charge (Qg, typ @ VDS=480V) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 151 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +150 °C -55 °C to +150 °C
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) 0.83 K/W —
Paket TO-247-3 (PG-TO247-3-1) PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole)
Montaj Türü Through-Hole Through Hole
Pin Sayısı 3 (+ tab) —
MSL Seviyesi N/A (through-hole) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS™ P7
Transistor Türü — N-Channel MOSFET (Superjunction)
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) — 76 A
On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) — 37 mΩ
Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) — 255 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) — 3.5 V
Orderable Part Number Suffix — XKSA1 (tube packaging, industrial)
Avalanche Rated — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin