IRF2805PBF vs IRF640NPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRF2805PBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRF640NPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRF2805PBF | IRF640NPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | Infineon (formerly International Rectifier) |
| Part Number | IRF2805PBF | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET Power MOSFET (IR MOSFET) | HEXFET (5th Generation) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 75 A | 18 A |
| Continuous Drain Current (ID) at 25°C | 175 A (pulsed / package-limited) | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 4.7 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 150 nC | 44.7 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 330 W | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| প্যাকেজ | TO-220AB (3-pin, through-hole) | TO-220AB (through-hole, 3-pin) |
| মাউন্টিং টাইপ | Through Hole | Through Hole |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (Pb-free) | Compliant |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 °C to +175 °C | — |
| Configuration | Single N-Channel MOSFET | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 150 mOhm max at VGS = 10 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 150 W |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55C to +150C |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| dv/dt Rating | — | Dynamic, rated |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix) |