IRF2805PBF vs IRF640NPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF2805PBF بذریعہ Infineon اور IRF640NPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRF2805PBF | IRF640NPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | Infineon (formerly International Rectifier) |
| Part Number | IRF2805PBF | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET Power MOSFET (IR MOSFET) | HEXFET (5th Generation) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 75 A | 18 A |
| Continuous Drain Current (ID) at 25°C | 175 A (pulsed / package-limited) | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 4.7 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 150 nC | 44.7 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 330 W | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| پیکیج | TO-220AB (3-pin, through-hole) | TO-220AB (through-hole, 3-pin) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Through Hole |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (Pb-free) | Compliant |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +175 °C | — |
| Configuration | Single N-Channel MOSFET | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 150 mOhm max at VGS = 10 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 150 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55C to +150C |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| dv/dt Rating | — | Dynamic, rated |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix) |