IRF7342PBF vs IRF7389TRPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRF7342PBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRF7389TRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRF7342PBF IRF7342PBF - 55V Dual P-Channel HEXFET MOSFET, 3.4A, SO-8 | Infineon

IRF7342PBF - 55V Dual P-Channel HEXFET MOSFET, 3.4A, SO-8 | Infineon

IRF7342PBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF - 30V Dual N/P HEXFET MOSFET Array | Infineon

IRF7389TRPBF - 30V Dual N/P HEXFET MOSFET Array | Infineon

IRF7389TRPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRF7342PBF IRF7389TRPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number IRF7342PBF —
Original Mfr International Rectifier (now Infineon) —
Technology HEXFET (Gen V) - P-Channel MOSFET Array HEXFET Generation V (IR MOSFET)
Configuration Dual P-Channel (2 independent MOSFETs) Dual N+P Complementary Half-Bridge
Drain-Source Voltage V(DSS) -55 V —
Continuous Drain Current I(D) 3.4 A —
On-Resistance R(DS(on)) 0.105 ohm —
Power Dissipation P(D) 2 W —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
প্যাকেজ / কেস 8-SOIC (SO-8) —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate Threshold Vgs(th) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Switching Frequency Optimization < 100 kHz —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant —
Halogen Status Halogen-Free —
Qualification JEDEC standard —
Transistor Polarity — N and P Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (N-Ch, Id) — 7.3 A
Continuous Drain Current (P-Ch, Id) — -5.3 A
On-Resistance RDS(on) Max — 29 mOhm
Power Dissipation (Pd) — 2.5 W
প্যাকেজ — 8-SO (SOIC-8)
অপারেটিং তাপমাত্রা — -55C to +150C
Avalanche Rated — Yes
Lead Free / RoHS — Lead Free / RoHS Compliant
MSL লেভেল — 1

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট