IRF7342PBF vs IRF7389TRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF7342PBF द्वारा Infineon और IRF7389TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF - 30V Dual N/P HEXFET MOSFET Array | Infineon

IRF7389TRPBF - 30V Dual N/P HEXFET MOSFET Array | Infineon

IRF7389TRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRF7342PBF IRF7389TRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number IRF7342PBF —
Original Mfr International Rectifier (now Infineon) —
Technology HEXFET (Gen V) - P-Channel MOSFET Array HEXFET Generation V (IR MOSFET)
Configuration Dual P-Channel (2 independent MOSFETs) Dual N+P Complementary Half-Bridge
Drain-Source Voltage V(DSS) -55 V —
Continuous Drain Current I(D) 3.4 A —
On-Resistance R(DS(on)) 0.105 ohm —
Power Dissipation P(D) 2 W —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
पैकेज / केस 8-SOIC (SO-8) —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate Threshold Vgs(th) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Switching Frequency Optimization < 100 kHz —
RoHS स्थिति Compliant —
Halogen Status Halogen-Free —
Qualification JEDEC standard —
Transistor Polarity — N and P Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (N-Ch, Id) — 7.3 A
Continuous Drain Current (P-Ch, Id) — -5.3 A
On-Resistance RDS(on) Max — 29 mOhm
Power Dissipation (Pd) — 2.5 W
पैकेज — 8-SO (SOIC-8)
ऑपरेटिंग तापमान — -55C to +150C
Avalanche Rated — Yes
Lead Free / RoHS — Lead Free / RoHS Compliant
MSL स्तर — 1

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