IRF7342PBF vs IRF7389TRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF7342PBF מאת Infineon ו IRF7389TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRF7342PBF IRF7389TRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number IRF7342PBF —
Original Mfr International Rectifier (now Infineon) —
Technology HEXFET (Gen V) - P-Channel MOSFET Array HEXFET Generation V (IR MOSFET)
Configuration Dual P-Channel (2 independent MOSFETs) Dual N+P Complementary Half-Bridge
Drain-Source Voltage V(DSS) -55 V —
Continuous Drain Current I(D) 3.4 A —
On-Resistance R(DS(on)) 0.105 ohm —
Power Dissipation P(D) 2 W —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מארז / Case 8-SOIC (SO-8) —
טווח טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate Threshold Vgs(th) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Switching Frequency Optimization < 100 kHz —
סטטוס RoHS Compliant —
Halogen Status Halogen-Free —
Qualification JEDEC standard —
Transistor Polarity — N and P Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (N-Ch, Id) — 7.3 A
Continuous Drain Current (P-Ch, Id) — -5.3 A
On-Resistance RDS(on) Max — 29 mOhm
Power Dissipation (Pd) — 2.5 W
מארז — 8-SO (SOIC-8)
טמפרטורת פעולה — -55C to +150C
Avalanche Rated — Yes
Lead Free / RoHS — Lead Free / RoHS Compliant
רמת MSL — 1

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר