IRF7342PBF vs IRF7389TRPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRF7342PBF bằng Infineon và IRF7389TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IRF7342PBF - 55V Dual P-Channel HEXFET MOSFET, 3.4A, SO-8 | Infineon
IRF7342PBF ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRF7342PBF | IRF7389TRPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon (formerly International Rectifier) |
| Part Number | IRF7342PBF | — |
| Original Mfr | International Rectifier (now Infineon) | — |
| Technology | HEXFET (Gen V) - P-Channel MOSFET Array | HEXFET Generation V (IR MOSFET) |
| Configuration | Dual P-Channel (2 independent MOSFETs) | Dual N+P Complementary Half-Bridge |
| Drain-Source Voltage V(DSS) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current I(D) | 3.4 A | — |
| On-Resistance R(DS(on)) | 0.105 ohm | — |
| Power Dissipation P(D) | 2 W | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Hộp / Vỏ | 8-SOIC (SO-8) | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Gate Threshold Vgs(th) | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] | — |
| Switching Frequency Optimization | < 100 kHz | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Halogen Status | Halogen-Free | — |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| Transistor Polarity | — | N and P Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (N-Ch, Id) | — | 7.3 A |
| Continuous Drain Current (P-Ch, Id) | — | -5.3 A |
| On-Resistance RDS(on) Max | — | 29 mOhm |
| Power Dissipation (Pd) | — | 2.5 W |
| Hộp | — | 8-SO (SOIC-8) |
| Nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +150C |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| Lead Free / RoHS | — | Lead Free / RoHS Compliant |
| Cấp MSL | — | 1 |