IRF7389TRPBF vs IRF7342PBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRF7389TRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRF7342PBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF - 30V Dual N/P HEXFET MOSFET Array | Infineon

IRF7389TRPBF - 30V Dual N/P HEXFET MOSFET Array | Infineon

IRF7389TRPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRF7342PBF IRF7342PBF - 55V Dual P-Channel HEXFET MOSFET, 3.4A, SO-8 | Infineon

IRF7342PBF - 55V Dual P-Channel HEXFET MOSFET, 3.4A, SO-8 | Infineon

IRF7342PBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRF7389TRPBF IRF7342PBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Transistor Polarity N and P Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (N-Ch, Id) 7.3 A —
Continuous Drain Current (P-Ch, Id) -5.3 A —
On-Resistance RDS(on) Max 29 mOhm —
Power Dissipation (Pd) 2.5 W —
Configuration Dual N+P Complementary Half-Bridge Dual P-Channel (2 independent MOSFETs)
Technology HEXFET Generation V (IR MOSFET) HEXFET (Gen V) - P-Channel MOSFET Array
প্যাকেজ 8-SO (SOIC-8) —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রা -55C to +150C —
Avalanche Rated Yes —
Lead Free / RoHS Lead Free / RoHS Compliant —
MSL লেভেল 1 —
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number — IRF7342PBF
Original Mfr — International Rectifier (now Infineon)
Drain-Source Voltage V(DSS) — -55 V
Continuous Drain Current I(D) — 3.4 A
On-Resistance R(DS(on)) — 0.105 ohm
Power Dissipation P(D) — 2 W
প্যাকেজ / কেস — 8-SOIC (SO-8)
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Vgs(th) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Switching Frequency Optimization — < 100 kHz
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant
Halogen Status — Halogen-Free
Qualification — JEDEC standard

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট