IRF7389TRPBF vs IRF7342PBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF7389TRPBF tarafından Infineon ve IRF7342PBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF7389TRPBF IRF7342PBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Polarity N and P Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (N-Ch, Id) 7.3 A —
Continuous Drain Current (P-Ch, Id) -5.3 A —
On-Resistance RDS(on) Max 29 mOhm —
Power Dissipation (Pd) 2.5 W —
Configuration Dual N+P Complementary Half-Bridge Dual P-Channel (2 independent MOSFETs)
Technology HEXFET Generation V (IR MOSFET) HEXFET (Gen V) - P-Channel MOSFET Array
Paket 8-SO (SOIC-8) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55C to +150C —
Avalanche Rated Yes —
Lead Free / RoHS Lead Free / RoHS Compliant —
MSL Seviyesi 1 —
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number — IRF7342PBF
Original Mfr — International Rectifier (now Infineon)
Drain-Source Voltage V(DSS) — -55 V
Continuous Drain Current I(D) — 3.4 A
On-Resistance R(DS(on)) — 0.105 ohm
Power Dissipation P(D) — 2 W
Paket / Kas — 8-SOIC (SO-8)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Vgs(th) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Switching Frequency Optimization — < 100 kHz
RoHS Durumu — Compliant
Halogen Status — Halogen-Free
Qualification — JEDEC standard

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin