IRF7389TRPBF vs IRF7342PBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF7389TRPBF توسط Infineon و IRF7342PBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF7389TRPBF IRF7342PBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Transistor Polarity N and P Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (N-Ch, Id) 7.3 A —
Continuous Drain Current (P-Ch, Id) -5.3 A —
On-Resistance RDS(on) Max 29 mOhm —
Power Dissipation (Pd) 2.5 W —
Configuration Dual N+P Complementary Half-Bridge Dual P-Channel (2 independent MOSFETs)
Technology HEXFET Generation V (IR MOSFET) HEXFET (Gen V) - P-Channel MOSFET Array
بسته‌بندی 8-SO (SOIC-8) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
دمای کاری -55C to +150C —
Avalanche Rated Yes —
Lead Free / RoHS Lead Free / RoHS Compliant —
سطح MSL 1 —
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number — IRF7342PBF
Original Mfr — International Rectifier (now Infineon)
Drain-Source Voltage V(DSS) — -55 V
Continuous Drain Current I(D) — 3.4 A
On-Resistance R(DS(on)) — 0.105 ohm
Power Dissipation P(D) — 2 W
بسته‌بندی / کیس — 8-SOIC (SO-8)
محدوده دمای کاری — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Vgs(th) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Switching Frequency Optimization — < 100 kHz
وضعیت RoHS — Compliant
Halogen Status — Halogen-Free
Qualification — JEDEC standard

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت