IRF8714TRPBF vs IRLL024NTRPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRF8714TRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRLL024NTRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRF8714TRPBF IRF8714TRPBF - 30V 14A 8.7mΩ N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRF8714TRPBF - 30V 14A 8.7mΩ N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRF8714TRPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF - 55V 4.4A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLL024NTRPBF - 55V 4.4A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLL024NTRPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRF8714TRPBF IRLL024NTRPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET / StrongIRFET (planar MOSFET) HEXFET Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 14 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 4.4 A
On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 8.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range] Logic Level (5 V drive capable)
Gate Charge (Qg) typical 8.1 nC —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +150C (junction) —
প্যাকেজ SO-8 (8-SOIC) SOT-223 (4-pin)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
পিন সংখ্যা 8 —
Avalanche Rated Yes —
Lead-Free / RoHS Lead-Free / RoHS Compliant —
MSL লেভেল 1 (per Infineon package qualification) —
Polarity — N-Channel
Operating Mode — Enhancement Mode
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 3.1 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 0.065 ohm
Total Gate Charge (Qg) — 10.4 nC
Maximum Power Dissipation (Pd) at Ta — 1.0 W
Maximum Operating Junction Temperature — 175 C
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট