IRF8714TRPBF vs IRLL024NTRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRF8714TRPBF bằng Infineon và IRLL024NTRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRF8714TRPBF IRF8714TRPBF - 30V 14A 8.7mΩ N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRF8714TRPBF - 30V 14A 8.7mΩ N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRF8714TRPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF - 55V 4.4A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLL024NTRPBF - 55V 4.4A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLL024NTRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRF8714TRPBF IRLL024NTRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET / StrongIRFET (planar MOSFET) HEXFET Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 14 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 4.4 A
On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 8.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range] Logic Level (5 V drive capable)
Gate Charge (Qg) typical 8.1 nC —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +150C (junction) —
Hộp SO-8 (8-SOIC) SOT-223 (4-pin)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Số chân 8 —
Avalanche Rated Yes —
Lead-Free / RoHS Lead-Free / RoHS Compliant —
Cấp MSL 1 (per Infineon package qualification) —
Polarity — N-Channel
Operating Mode — Enhancement Mode
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 3.1 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 0.065 ohm
Total Gate Charge (Qg) — 10.4 nC
Maximum Power Dissipation (Pd) at Ta — 1.0 W
Maximum Operating Junction Temperature — 175 C
Trạng thái RoHS — Compliant

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá