IRF9530NSTRLPBF vs IRF9530NPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRF9530NSTRLPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRF9530NPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IRF9530NPBF - -100V P-Channel HEXFET MOSFET, 14A, TO-220AB | Infineon
IRF9530NPBF ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRF9530NSTRLPBF | IRF9530NPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -100 V | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -14 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V | 200 mOhm | 200 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | 38.7 nC (typ) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] | — |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | 79 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3.8 W | — |
| Thermal Resistance Theta_JC | 1.5 C/W (typ) | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +150C (TJ) | — |
| প্যাকেজ | D2PAK (TO-263-3) | TO-220AB (through-hole) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Through Hole |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Pb-free suffix) | — |
| Technology | HEXFET (Planar DMOS) | — |
| Avalanche Rated | [DATA_NEEDED: EAS rating] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | -14 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 38.7 nC |
| Maximum Power Dissition at TC=25°C | — | 79 W |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55°C to +175°C |
| Mounting Screw Torque (max) | — | [DATA_NEEDED: maximum torque] |
| Avalanche Rating | — | Repetitive avalanche rated |
| dv/dt Rating | — | Dynamic dV/dt rated |
| Lead-Free / RoHS Status | — | Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant |