IRF9530NSTRLPBF vs IRF9530NPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF9530NSTRLPBF द्वारा Infineon और IRF9530NPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF9530NSTRLPBF | IRF9530NPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -100 V | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -14 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V | 200 mOhm | 200 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | 38.7 nC (typ) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] | — |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | 79 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3.8 W | — |
| Thermal Resistance Theta_JC | 1.5 C/W (typ) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (TJ) | — |
| पैकेज | D2PAK (TO-263-3) | TO-220AB (through-hole) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Through Hole |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Pb-free suffix) | — |
| Technology | HEXFET (Planar DMOS) | — |
| Avalanche Rated | [DATA_NEEDED: EAS rating] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | -14 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 38.7 nC |
| Maximum Power Dissition at TC=25°C | — | 79 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55°C to +175°C |
| Mounting Screw Torque (max) | — | [DATA_NEEDED: maximum torque] |
| Avalanche Rating | — | Repetitive avalanche rated |
| dv/dt Rating | — | Dynamic dV/dt rated |
| Lead-Free / RoHS Status | — | Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant |