IRF9530NSTRLPBF vs IRF9530NPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRF9530NSTRLPBF bằng Infineon và IRF9530NPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF -100V P-Ch HEXFET MOSFET, 14A, D2PAK | Infineon

IRF9530NSTRLPBF -100V P-Ch HEXFET MOSFET, 14A, D2PAK | Infineon

IRF9530NSTRLPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRF9530NSTRLPBF IRF9530NPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -14 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 200 mOhm 200 mΩ
Total Gate Charge (Qg) 38.7 nC (typ) —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] —
Power Dissition (PD) at TC=25C 79 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Thermal Resistance Theta_JC 1.5 C/W (typ) —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +150C (TJ) —
Hộp D2PAK (TO-263-3) TO-220AB (through-hole)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free suffix) —
Technology HEXFET (Planar DMOS) —
Avalanche Rated [DATA_NEEDED: EAS rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — -14 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) typ — 38.7 nC
Maximum Power Dissition at TC=25°C — 79 W
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55°C to +175°C
Mounting Screw Torque (max) — [DATA_NEEDED: maximum torque]
Avalanche Rating — Repetitive avalanche rated
dv/dt Rating — Dynamic dV/dt rated
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá