IRF9540NPBF vs IRF9540NSTRLPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRF9540NPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRF9540NSTRLPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRF9540NPBF | IRF9540NSTRLPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | Infineon (formerly International Rectifier) |
| Part Number | IRF9540NPBF | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | P-Channel MOSFET (HEXFET Power MOSFET) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | -23 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V | 117 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 64.7 nC | 64.7 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 140 W | — |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রার পরিসর | -55 C to +175 C | — |
| প্যাকেজ / কেস | TO-220AB (through-hole, 3 pins + tab) | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Through Hole | Surface Mount |
| Process Technology | Planar HEXFET cell structure | — |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes (Pb-free matte tin plating) | — |
| Product Type | — | Single P-Channel Power MOSFET (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | -100 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | -23 A (at Tc) |
| On-Resistance (Rds(on)) | — | 117 mOhm max |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3.1 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 110 W |
| প্যাকেজ | — | D2PAK (TO-263), surface mount |
| Technology | — | HEXFET, Advanced Process |
| Polarity | — | P-Channel |
| Operating Mode | — | Enhancement-mode |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| Lead Finish | — | Pb-free, RoHS-compliant |
| Shipping Media | — | Tape and Reel (TR suffix) |