IRF9540NPBF vs IRF9540NSTRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF9540NPBF tarafından Infineon ve IRF9540NSTRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF9540NPBF IRF9540NSTRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number IRF9540NPBF —
Transistor Türü P-Channel MOSFET (HEXFET Power MOSFET) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc -23 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V 117 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 64.7 nC 64.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 140 W —
İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C —
Paket / Kas TO-220AB (through-hole, 3 pins + tab) —
Montaj Türü Through Hole Surface Mount
Process Technology Planar HEXFET cell structure —
Qualification JEDEC standard —
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes (Pb-free matte tin plating) —
Product Type — Single P-Channel Power MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) — -100 V
Continuous Drain Current (Id) — -23 A (at Tc)
On-Resistance (Rds(on)) — 117 mOhm max
Power Dissipation (Ta) — 3.1 W
Power Dissipation (Tc) — 110 W
Paket — D2PAK (TO-263), surface mount
Technology — HEXFET, Advanced Process
Polarity — P-Channel
Operating Mode — Enhancement-mode
Avalanche Rated — Yes
Lead Finish — Pb-free, RoHS-compliant
Shipping Media — Tape and Reel (TR suffix)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin