IRF9540NPBF vs IRF9540NSTRLPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF9540NPBF द्वारा Infineon और IRF9540NSTRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF9540NPBF | IRF9540NSTRLPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | Infineon (formerly International Rectifier) |
| Part Number | IRF9540NPBF | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | P-Channel MOSFET (HEXFET Power MOSFET) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | -23 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V | 117 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 64.7 nC | 64.7 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 140 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज | -55 C to +175 C | — |
| पैकेज / केस | TO-220AB (through-hole, 3 pins + tab) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Surface Mount |
| Process Technology | Planar HEXFET cell structure | — |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes (Pb-free matte tin plating) | — |
| Product Type | — | Single P-Channel Power MOSFET (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | -100 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | -23 A (at Tc) |
| On-Resistance (Rds(on)) | — | 117 mOhm max |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3.1 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 110 W |
| पैकेज | — | D2PAK (TO-263), surface mount |
| Technology | — | HEXFET, Advanced Process |
| Polarity | — | P-Channel |
| Operating Mode | — | Enhancement-mode |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| Lead Finish | — | Pb-free, RoHS-compliant |
| Shipping Media | — | Tape and Reel (TR suffix) |