IRF9540NPBF vs IRF9540NSTRLPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF9540NPBF بذریعہ Infineon اور IRF9540NSTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRF9540NPBF | IRF9540NSTRLPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | Infineon (formerly International Rectifier) |
| Part Number | IRF9540NPBF | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | P-Channel MOSFET (HEXFET Power MOSFET) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | -23 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V | 117 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 64.7 nC | 64.7 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 140 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج | -55 C to +175 C | — |
| پیکیج / کیس | TO-220AB (through-hole, 3 pins + tab) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Surface Mount |
| Process Technology | Planar HEXFET cell structure | — |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes (Pb-free matte tin plating) | — |
| Product Type | — | Single P-Channel Power MOSFET (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | -100 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | -23 A (at Tc) |
| On-Resistance (Rds(on)) | — | 117 mOhm max |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3.1 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 110 W |
| پیکیج | — | D2PAK (TO-263), surface mount |
| Technology | — | HEXFET, Advanced Process |
| Polarity | — | P-Channel |
| Operating Mode | — | Enhancement-mode |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| Lead Finish | — | Pb-free, RoHS-compliant |
| Shipping Media | — | Tape and Reel (TR suffix) |