IRFL4315TRPBF vs BSP295H6327XTSA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFL4315TRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও BSP295H6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRFL4315TRPBF | BSP295H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (V_DS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at 25°C | 2.6 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | [DATA_NEEDED: I_DM rating] | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 185 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typ/min/max] | — |
| Total Gate Charge Q_G | 12 nC | — |
| Gate-to-Source Voltage V_GS | ±30 V (max) | — |
| Continuous Source Current (Body Diode I_S) | 1.6 A | — |
| di/dt (Body Diode) | 230 A/μs | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.8 W | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | [DATA_NEEDED: T_J min/max] | -55 °C to +150 °C |
| প্যাকেজ | SOT-223 | PG-SOT223-4 (3 leads + tab) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR MOSFET™ (planar/HEXFET-style) | Planar N-channel MOSFET |
| Qualification Standard | Industrial market (per Infineon datasheet) | — |
| Lead-Free / RoHS | Lead-free (PBF suffix); RoHS compliant | — |
| Packaging | Tape & Reel (TRPBF) | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 °C | — | 1.8 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25 °C | — | 1.8 W |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | — | 300 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |
| Tape and Reel Packing Code | — | H6327 (7-inch reel) |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Drain Tab Connection | — | Pin 4 (tab) |