IRFL4315TRPBF vs BSP295H6327XTSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFL4315TRPBF द्वारा Infineon और BSP295H6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFL4315TRPBF | BSP295H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (V_DS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at 25°C | 2.6 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | [DATA_NEEDED: I_DM rating] | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 185 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typ/min/max] | — |
| Total Gate Charge Q_G | 12 nC | — |
| Gate-to-Source Voltage V_GS | ±30 V (max) | — |
| Continuous Source Current (Body Diode I_S) | 1.6 A | — |
| di/dt (Body Diode) | 230 A/μs | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.8 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: T_J min/max] | -55 °C to +150 °C |
| पैकेज | SOT-223 | PG-SOT223-4 (3 leads + tab) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR MOSFET™ (planar/HEXFET-style) | Planar N-channel MOSFET |
| Qualification Standard | Industrial market (per Infineon datasheet) | — |
| Lead-Free / RoHS | Lead-free (PBF suffix); RoHS compliant | — |
| Packaging | Tape & Reel (TRPBF) | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 °C | — | 1.8 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25 °C | — | 1.8 W |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | — | 300 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Tape and Reel Packing Code | — | H6327 (7-inch reel) |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Drain Tab Connection | — | Pin 4 (tab) |