IRFL4315TRPBF vs BSP295H6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFL4315TRPBF tarafından Infineon ve BSP295H6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFL4315TRPBF BSP295H6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (V_DS) 150 V —
Continuous Drain Current (I_D) at 25°C 2.6 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: I_DM rating] —
R_DS(on) max at V_GS=10V 185 mΩ —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge Q_G 12 nC —
Gate-to-Source Voltage V_GS ±30 V (max) —
Continuous Source Current (Body Diode I_S) 1.6 A —
di/dt (Body Diode) 230 A/μs —
Power Dissipation (Ta) 2.8 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: T_J min/max] -55 °C to +150 °C
Paket SOT-223 PG-SOT223-4 (3 leads + tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET™ (planar/HEXFET-style) Planar N-channel MOSFET
Qualification Standard Industrial market (per Infineon datasheet) —
Lead-Free / RoHS Lead-free (PBF suffix); RoHS compliant —
Packaging Tape & Reel (TRPBF) —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 °C — 1.8 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25 °C — 1.8 W
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 300 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
RoHS Durumu — Compliant
Tape and Reel Packing Code — H6327 (7-inch reel)
Channel Mode — Enhancement
Drain Tab Connection — Pin 4 (tab)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin