IRFR120NTRLPBF vs IRL540NSTRLPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFR120NTRLPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRL540NSTRLPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF - 100V 9.4A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR120NTRLPBF - 100V 9.4A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR120NTRLPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF - 100V 36A N-Channel MOSFET | Infineon | D2PAK

IRL540NSTRLPBF - 100V 36A N-Channel MOSFET | Infineon | D2PAK

IRL540NSTRLPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRFR120NTRLPBF IRL540NSTRLPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 9.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] Logic-level
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 210 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC 49.3 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C 48 W —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রার পরিসর -55C to +175C —
Avalanche Energy Rated Yes (fully avalanche rated) Yes (single-pulse)
প্যাকেজ PG-TO252-3 (DPAK) TO-263 (D2PAK)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant (LPBF suffix indicates lead-free)
Lead-Free Finish Yes (Pb-free) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 36 A
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V — 44 mΩ
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 140 W
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 3.8 W
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55°C to +175°C
MSL লেভেল — [DATA_NEEDED: MSL rating]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট