IRFR120NTRLPBF vs IRL540NSTRLPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR120NTRLPBF توسط Infineon و IRL540NSTRLPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFR120NTRLPBF IRL540NSTRLPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 9.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] Logic-level
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 210 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC 49.3 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C 48 W —
محدوده دمای اتصال کاری -55C to +175C —
Avalanche Energy Rated Yes (fully avalanche rated) Yes (single-pulse)
بسته‌بندی PG-TO252-3 (DPAK) TO-263 (D2PAK)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant Compliant (LPBF suffix indicates lead-free)
Lead-Free Finish Yes (Pb-free) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 36 A
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V — 44 mΩ
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 140 W
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 3.8 W
محدوده دمای کاری — -55°C to +175°C
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت