IRFR120NTRLPBF vs IRL540NSTRLPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR120NTRLPBF מאת Infineon ו IRL540NSTRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFR120NTRLPBF IRL540NSTRLPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 9.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] Logic-level
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 210 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC 49.3 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C 48 W —
טווח טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C —
Avalanche Energy Rated Yes (fully avalanche rated) Yes (single-pulse)
מארז PG-TO252-3 (DPAK) TO-263 (D2PAK)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant (LPBF suffix indicates lead-free)
Lead-Free Finish Yes (Pb-free) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 36 A
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V — 44 mΩ
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 140 W
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 3.8 W
טווח טמפרטורת פעולה — -55°C to +175°C
רמת MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר