IRFR120NTRLPBF vs IRL540NSTRLPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFR120NTRLPBF bằng Infineon và IRL540NSTRLPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF - 100V 9.4A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR120NTRLPBF - 100V 9.4A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR120NTRLPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF - 100V 36A N-Channel MOSFET | Infineon | D2PAK

IRL540NSTRLPBF - 100V 36A N-Channel MOSFET | Infineon | D2PAK

IRL540NSTRLPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFR120NTRLPBF IRL540NSTRLPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 9.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] Logic-level
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 210 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC 49.3 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C 48 W —
Khoảng nhiệt độ mối nối hoạt động -55C to +175C —
Avalanche Energy Rated Yes (fully avalanche rated) Yes (single-pulse)
Hộp PG-TO252-3 (DPAK) TO-263 (D2PAK)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Trạng thái RoHS Compliant Compliant (LPBF suffix indicates lead-free)
Lead-Free Finish Yes (Pb-free) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 36 A
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V — 44 mΩ
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 140 W
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 3.8 W
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55°C to +175°C
Cấp MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá