IRFR220NPBF vs IRFZ24NPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFR220NPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRFZ24NPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRFR220NPBF IRFR220NPBF - 200V N-Channel HEXFET MOSFET, 5A | Infineon

IRFR220NPBF - 200V N-Channel HEXFET MOSFET, 5A | Infineon

IRFR220NPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF - 55V 17A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220AB | Infineon

IRFZ24NPBF - 55V 17A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220AB | Infineon

IRFZ24NPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRFR220NPBF IRFZ24NPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 5 A 17 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C 43 W 45 W
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 0.6 ohm at VGS = 10 V —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Through Hole
প্যাকেজ / কেস TO-252AA (DPAK) —
Technology HEXFET (Planar) HEXFET planar cell
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] 13.3 nC
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +150C (junction) —
Lead-Free / RoHS Yes, lead-free (PBF suffix) —
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet characterization) —
পিন সংখ্যা 3 (Gate, Drain, Source) plus tab —
MSL লেভেল 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ± 20 V
RDS(on) at VGS=10V — 70 mOhm (max)
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -55C to +175C
প্যাকেজ — TO-220AB (through hole)
Switching Frequency Range — Optimized for < 100 kHz
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant
Lead-Free — Yes (PBF suffix)
Qualification — JEDEC standard
Channel Mode — Enhancement

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট