IRFR220NPBF vs IRFZ24NPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR220NPBF بذریعہ Infineon اور IRFZ24NPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR220NPBF IRFZ24NPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 5 A 17 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C 43 W 45 W
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 0.6 ohm at VGS = 10 V —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Through Hole
پیکیج / کیس TO-252AA (DPAK) —
Technology HEXFET (Planar) HEXFET planar cell
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] 13.3 nC
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction) —
Lead-Free / RoHS Yes, lead-free (PBF suffix) —
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet characterization) —
پن کی تعداد 3 (Gate, Drain, Source) plus tab —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ± 20 V
RDS(on) at VGS=10V — 70 mOhm (max)
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
پیکیج — TO-220AB (through hole)
Switching Frequency Range — Optimized for < 100 kHz
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Lead-Free — Yes (PBF suffix)
Qualification — JEDEC standard
Channel Mode — Enhancement

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں