IRFR220NPBF vs IRFZ24NPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR220NPBF מאת Infineon ו IRFZ24NPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRFR220NPBF | IRFZ24NPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 200 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 5 A | 17 A |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 43 W | 45 W |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 0.6 ohm at VGS = 10 V | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Through Hole |
| מארז / Case | TO-252AA (DPAK) | — |
| Technology | HEXFET (Planar) | HEXFET planar cell |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | 13.3 nC |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C (junction) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes, lead-free (PBF suffix) | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (per datasheet characterization) | — |
| מספר פינים | 3 (Gate, Drain, Source) plus tab | — |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ± 20 V |
| RDS(on) at VGS=10V | — | 70 mOhm (max) |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55C to +175C |
| מארז | — | TO-220AB (through hole) |
| Switching Frequency Range | — | Optimized for < 100 kHz |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix) |
| Qualification | — | JEDEC standard |
| Channel Mode | — | Enhancement |