IRFR220NPBF vs IRFZ24NPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR220NPBF tarafından Infineon ve IRFZ24NPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR220NPBF IRFZ24NPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 5 A 17 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C 43 W 45 W
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 0.6 ohm at VGS = 10 V —
Montaj Türü Surface Mount Through Hole
Paket / Kas TO-252AA (DPAK) —
Technology HEXFET (Planar) HEXFET planar cell
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] 13.3 nC
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) —
Lead-Free / RoHS Yes, lead-free (PBF suffix) —
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet characterization) —
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) plus tab —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ± 20 V
RDS(on) at VGS=10V — 70 mOhm (max)
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +175C
Paket — TO-220AB (through hole)
Switching Frequency Range — Optimized for < 100 kHz
RoHS Durumu — Compliant
Lead-Free — Yes (PBF suffix)
Qualification — JEDEC standard
Channel Mode — Enhancement

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin