IRFS7440TRLPBF vs IRFS4321TRLPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFS7440TRLPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRFS4321TRLPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRFS7440TRLPBF IRFS7440TRLPBF - 40V 120A StrongIRFET N-MOSFET | Infineon

IRFS7440TRLPBF - 40V 120A StrongIRFET N-MOSFET | Infineon

IRFS7440TRLPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF - 150V 85A N-Ch HEXFET MOSFET D2PAK | Infineon

IRFS4321TRLPBF - 150V 85A N-Ch HEXFET MOSFET D2PAK | Infineon

IRFS4321TRLPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRFS7440TRLPBF IRFS4321TRLPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies —
Series StrongIRFET —
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) IR HEXFET (IR MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 120 A 85 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 208 W 350 W
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 2.5 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) 90 nC (typical) —
Gate Drive Voltage (optimized) 10 V (normal level) —
Operating Frequency Range (optimized) <100 kHz —
প্যাকেজ TO-263 (D2PAK), surface mount TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর [DATA_NEEDED: junction temperature range] —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant (lead-free) Compliant
Qualification JEDEC standard —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
RDS(on) Max at VGS=10V — 15 mOhm
RDS(on) Max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) Typ — 71 nC
Total Gate Charge (Qg) Max — 110 nC
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) Max — 0.45 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) End-of-Life — 0.65 C/W (after 1000 cycles -55C to +150C)
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -55C to +175C

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট