IRFS7440TRLPBF vs IRFS4321TRLPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRFS7440TRLPBF bằng Infineon và IRFS4321TRLPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRFS7440TRLPBF | IRFS4321TRLPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | StrongIRFET | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel MOSFET, Metal Oxide |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) | IR HEXFET (IR MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 120 A | 85 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 208 W | 350 W |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 2.5 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 90 nC (typical) | — |
| Gate Drive Voltage (optimized) | 10 V (normal level) | — |
| Operating Frequency Range (optimized) | <100 kHz | — |
| Hộp | TO-263 (D2PAK), surface mount | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: junction temperature range] | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant (lead-free) | Compliant |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 15 mOhm |
| RDS(on) Max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) Typ | — | 71 nC |
| Total Gate Charge (Qg) Max | — | 110 nC |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) Max | — | 0.45 C/W |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) End-of-Life | — | 0.65 C/W (after 1000 cycles -55C to +150C) |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55C to +175C |