ISC110N12NM6ATMA1 vs ISC0805NLSATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISC110N12NM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও ISC0805NLSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | ISC110N12NM6ATMA1 | ISC0805NLSATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 11 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 62 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 9.8 mΩ | 10.7 mΩ at 4.5V VGS; [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 3.1 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 15.4 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 1.1 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 330 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 10 pF | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 94 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta | 3 W | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 185 mJ | — |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | -55 °C to +175 °C | — |
| প্যাকেজ | SuperSO8 (TDSON-8) | PG-TDSON-8-46 (SuperSO8 5x6) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS™ 5 |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 13 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 71 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 74 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | 10.7 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.3 V |
| Gate Charge Qg typ at VGS=4.5V | — | 16 nC |
| Input Capacitance Ciss | — | 2.2 nF |
| Reverse Transfer Capacitance Crss | — | 23 pF |
| Output Capacitance Coss | — | 360 pF |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55 °C to +150 °C |