ISC110N12NM6ATMA1 vs ISC0805NLSATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC110N12NM6ATMA1 tarafından Infineon ve ISC0805NLSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC110N12NM6ATMA1 ISC0805NLSATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 11 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 62 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 9.8 mΩ 10.7 mΩ at 4.5V VGS; [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 3.1 V —
Total Gate Charge (Qg) 15.4 nC —
Input Capacitance (Ciss) 1.1 nF —
Output Capacitance (Coss) 330 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 10 pF —
Power Dissipation (Pd) at Tc 94 W —
Power Dissipation (Pd) at Ta 3 W —
Avalanche Energy (EAS) 185 mJ —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Paket SuperSO8 (TDSON-8) PG-TDSON-8-46 (SuperSO8 5x6)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS™ 5
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 71 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 74 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.7 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.3 V
Gate Charge Qg typ at VGS=4.5V — 16 nC
Input Capacitance Ciss — 2.2 nF
Reverse Transfer Capacitance Crss — 23 pF
Output Capacitance Coss — 360 pF
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +150 °C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin