ISZ025N06NM6ATMA1 vs ISZ072N06NM6ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISZ025N06NM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও ISZ072N06NM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
ISZ025N06NM6ATMA1 ISZ025N06NM6ATMA1 - 60V 137A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISZ025N06NM6ATMA1 - 60V 137A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISZ025N06NM6ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার ISZ025N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 60 V OptiMOS 6 60V
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 137 A 57 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) 22 A 12.7 A
Maximum RDS(on) at VGS=10V 2.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 3.3 V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 100 W —
প্যাকেজ PG-TSDSON-8-34 (5x6 mm) PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 °C to +175 °C -55C to +175C ( Tj max 175C )
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
Technology Trench MOSFET OptiMOS 6 trench MOSFET
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] 1
RDS(on) max @ VGS=10V — 7.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.3 V (typ)
পাওয়ার ডিসিপেশন (TC=25°C) — 50 W

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট