ISZ025N06NM6ATMA1 vs ISZ072N06NM6ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISZ025N06NM6ATMA1 tarafından Infineon ve ISZ072N06NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISZ025N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 60 V OptiMOS 6 60V
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 137 A 57 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) 22 A 12.7 A
Maximum RDS(on) at VGS=10V 2.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 3.3 V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 100 W —
Paket PG-TSDSON-8-34 (5x6 mm) PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C -55C to +175C ( Tj max 175C )
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
Technology Trench MOSFET OptiMOS 6 trench MOSFET
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] 1
RDS(on) max @ VGS=10V — 7.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.3 V (typ)
Güç Tüketimi (TC=25°C) — 50 W

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin